型号:IPB160N04S2-03 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | 描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
系列 | OptiMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 160A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 2.9 毫欧 @ 60A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 170nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 5300pF @ 25V |
功率_最大 | 300W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
供应商设备封装 | PG-TO263-7 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市和谐世家电子有限公司 | 付先生0755-82731800 |
深圳市鹏顺兴科技有限公司 | 谭小姐0755-23063133/83238712 |
深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
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深圳市捷富芯科技有限公司 | 林生13686489274 |
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